电磁屏蔽原理_

  工程中，实际的辐射干扰源大致分为两类：类似于对称振子天线的非闭合载流导线辐射源和类似 于变压器绕组的闭合载流导线辐射源。由于电偶极子和磁偶极子是上述两类源的最基本形式，实际的 辐射源在空间某点产生的场，均可由若干个基本源的场叠加而成(图 2)。因此通过对电偶极子和磁偶 极子所产生的场做多元化的分析，就可得出实际辐射源的远近场及波阻抗和远、近场的场特性，从而为屏蔽 分类提供良好的理论依据。

  远近场的划分是根据两类基本源的场随 1/r（场点至源点的距离）的变化而确定的，r = λ 2π 为远 近场的分界点，两类源在远近场的场特征及传播特性均有所不同。

  表 3 给出了两种场源在远、近场的单位体积内的包含的能量。从表中能够准确的看出，两类源的近场有很大的区别，电

  屏蔽体的泄漏耦合结构与所需抑制的电磁波频率紧密关联，三类屏蔽所涉及的频率范围及控制要 素如表 5 所示：

  由上式能够准确的看出，屏蔽体的屏蔽效能是由各个泄漏耦合结构中产生最大泄漏耦合的结构所决定

  的，即由屏蔽最薄弱的环节所决定的。因此进行屏蔽设计时，明确不同频段的泄漏耦合结构，确定最

  在三类屏蔽中，磁屏蔽和电磁屏蔽的难度较大。尤其是电磁屏蔽设计中的孔缝泄漏抑制最为关键，

  波阻抗 Z w 为空间某点电场强度与磁场强度之比，场源不同、远近场不同，则波阻抗也不一样， 表 2 与图 3 分别用图表给出了 Z w 的波阻抗特性。

  实际屏蔽体上同时存在多个泄漏耦合结构（n 个），设机箱接缝、通风孔、屏蔽体壁板等各泄漏

  耦合结构的单独屏蔽效能（如只考虑接缝）为 SEi（i=1,2,…，n），则屏蔽体总的屏蔽效能

  磁屏蔽的原理是由屏蔽体对干扰磁场提供低磁阻的磁通路，从而对干扰磁场进行分流，因而选择钢、 铁、坡莫合金等高磁导率的材料和设计盒、壳等封闭壳体成为磁屏蔽的两个关键因素。

  电磁屏蔽的原理是由金属屏蔽体通过对电磁波的反射和吸收来屏蔽辐射干扰源的远区场，即同时 屏蔽场源所产生的电场和磁场分量。由于随频率的增高，波长变得与屏蔽体上孔缝的尺寸 相当，因此导致屏蔽体的孔缝泄漏成为电磁屏蔽最关键的控制要素。

  屏蔽是通过由金属制成的壳、盒、板等屏蔽体，将电磁波局限于某一区域内的一种方法。由于辐 射源分为近区的电场源、磁场源和远区的平面波，因此屏蔽体的屏蔽性能依据辐射源的不同，在材料 选择、结构形状和对孔缝泄漏控制等方面都不一样。在设计中要达到所需的屏蔽性能，则需首先确 定辐射源，明确频率范围，再根据各个频段的典型泄漏结构，确定控制要素，进而选择恰当的屏蔽材 料，设计屏蔽壳体。

  图 4 机柜示意图 根据孔耦合理论，决定孔缝泄漏量的因素主要有两个：孔缝面积和孔缝最大线度尺寸。两者皆大， 则泄漏最为严重；面积小而最大线度尺寸大则电磁泄漏仍然较大。 图 4 所示为一典型机柜示意图，上面的孔缝大致上可以分为四类： ● 机箱（机柜）接缝 该类缝虽然面积不大Βιβλιοθήκη Baidu但其最大线度尺寸即缝长却非常大，由于维修、开启等限制，致使该类缝 成为电子设备中屏蔽难度最大的一类孔缝，采用导电衬垫等特殊屏蔽材料可以轻松又有效地抑制电磁泄漏。 该类孔缝屏蔽设计的重点是：合理地选择导电衬垫材料并进行适当的变形控制。 ● 通风孔 该类孔面积和最大线度尺寸较大，通风孔设计的重点是通风部件的选择与装配结构的设计。在 满足通风性能的条件下，应尽可能选用屏效较高的屏蔽通风部件。 ● 观察孔与显示孔 该类型孔面积和最大线度尺寸较大，其设计的重点是屏蔽透光材料的选择与装配结构的设计。 ● 连接器与机箱接缝 这类缝的面积与最大线度尺寸均不大，但由于在高频时导致连接器与机箱的接触阻抗急剧增大， 从而使得屏蔽电缆的共模传导发射变大，往往导致整个设备的辐射发射出现超标，为此应采用导电橡 胶等连接器导电衬垫。 综上所述，孔缝抑制的设计要点归纳为： ● 合理选择屏蔽材料； ● 合理设计安装互连结构。

  电屏蔽的实质是减小两个设备（或两个电路、组件、元件）间电场感应的影响。电屏蔽的原理是在 保证良好接地的条件下，将干扰源所产生的干扰终止于由良导体制成的屏蔽体。因此，接地良好 及选择良导体做为屏蔽体是电屏蔽能否起作用的两个关键因素。

  单位体积内的包含的能量包括电场分量单位体积内的包含的能量和磁场分量单位体积内的包含的能量，通过对由同一场源所产生的电场、磁场分 量的能量密度作比较，能确定场源在不一样的区域内何种分量占主要成份，以便确定具体的屏

  偶极子的近场能量主要为电场分量，可忽略磁场分量；磁偶极子的近场能量主要为磁场分量，可忽略

  屏蔽体对辐射干扰的抑制能力用屏蔽效能 SE（Shielding Effectiveness）来衡量，屏蔽效能的 定义:没有屏蔽体时，从辐射干扰源传输到空间某一点(P)的场强 Ev 1（ Hv 1）和加入屏蔽体后， 辐射干扰源传输到空间同一点(P)的场强 Ev 2（ Hv 2）之比，用 dB（分贝）表示。

  在电子设备及电子科技类产品中，电磁干扰（Electromagnetic Interference）能量通过传导性耦合和 辐射性耦合来进行传输。为满足电磁兼容性要求，对传导性耦合需采用滤波技术，即采用 EMI 滤波器 件加以抑制；对辐射性耦合则需采用屏蔽技术加以抑制。在当前电磁频谱日趋密集、单位体积内电磁 功率密度飞速增加、高低电平器件或设备大量混合使用等因素而导致设备及系统电磁环境日益恶化的 情况下，其重要性就显得更为突出。