EMC之电磁屏蔽读书笔记

来源:M6米乐官网登录-产品    发布时间:2023-10-29 19:46:14

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  从上式可知,近场下的磁场的辐射强度与频率无关,交流或者直流没有区别,且磁场强度随着距离的三次方衰减,因此增加距离可以有效减小磁场强度。

  从上式可知,近场下的电场的辐射强度随波长的减小(频率的升高)而增加,随距离的平方而减小。

  从上述两式可知,远场下的磁场和电场辐射强度都随频率的平方增加,方波脉冲

  实际电路设备中,只要有电流环路,或者两个导体之间有交变电压驱动,就存在上述的寄生天线。根据上述的天线模型原理,我们就能知道各个因素对于辐射强度的影响,这为我们的电磁屏蔽措施提供了理论指导。

  电磁波在穿过屏蔽材料时产生的损耗有两部分,反射损耗和吸收损耗,屏蔽效能就是两者之和,当然实际上由于电磁波会有泄漏,屏蔽效能有必要进行修正。

  SE为屏蔽效能,R为反射损耗,A为吸收损耗,B为修正因子。当屏蔽材料厚度达到一个趋肤深度时,多次反射泄露的修正可忽略不计;对于电场波,也可忽略修正因子。

  电磁波在穿越一个屏蔽体时由于要经过两个界面,所以会发生两次反射,如图1所示。

  根据上述公式可知,在屏蔽材料确定后,反射损耗与电磁波的波阻抗有关。电磁波的波阻抗越高,反射损耗越大。而电磁波在近场和远场下的波阻抗又不同。

  在近场下,电磁波的波阻抗与辐射源种类特性有关。磁场辐射源的阻抗较低,因此具有较低的波阻抗,其反射损耗也较小;电场辐射源的阻抗较高,因此具有较高的波阻抗,其反射损耗也较大。

  在远场下,电磁波的波阻抗与辐射源特性没关系,仅与电磁波的传播介质有关,比如空气中电磁波传播的波阻抗为377Ω,因此其反射损耗为

  将电流环天线和偶极子天线分别在近场下的波阻抗带入反射损耗公式可得如下各式,

  (1)近场屏蔽时,需要仔细考虑电磁波的种类,电场波的波阻抗较大,反射损耗较大;磁场波的波阻抗较小,反射损耗较小。

  (2)吸收损耗和电磁波频率有关,频率越低,吸收损耗越小,即低频电磁波有着非常强的穿透力;

  (近场)电场屏蔽:静电屏蔽、低频交变电场屏蔽——使用良好接地的金属导体制作;

  箱,可以对传导和辐射做处理,为无线通讯产品生产制造提供高效的隔离测试环境,测试内容包含耦合测试、RF功能测试、

  其实是不同的! 磁场的

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  干扰,EMI:Electromagnetic Interference, Emission),另一种

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  是极少数符合 IEC 61587-3,并按照 EN61000-5-7 标准在高达 18 GHz 时成功通过测试的电子机柜之一,可提供一流的

  分为EMS(electromagnetic susceptibility)

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